Продукція > STMICROELECTRONICS > STL13N60M2
STL13N60M2

STL13N60M2 STMicroelectronics

en.DM00116759.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.18 грн
10+ 101.65 грн
100+ 80.9 грн
500+ 64.24 грн
1000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL13N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STL13N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STL13N60M2 STL13N60M2 Виробник : STMicroelectronics 717935115465379dm00116759.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL13N60M2 Виробник : STMicroelectronics 717935115465379dm00116759.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL13N60M2 STL13N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116759.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
товар відсутній
STL13N60M2 STL13N60M2 Виробник : STMicroelectronics stl13n60m2-1851129.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.39 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
товар відсутній