STP110N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 125.79 грн |
| 101+ | 116.04 грн |
| 104+ | 113.11 грн |
| 200+ | 108.13 грн |
| 500+ | 95.77 грн |
| 1000+ | 88.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP110N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm.
Інші пропозиції STP110N10F7 за ціною від 78.11 грн до 213.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP110N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0051 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP110N10F7 Код товару: 189126 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A Pulsed drain current: 415A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP110N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A Pulsed drain current: 415A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |