STP11NM60ND STMicroelectronics
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP11NM60ND за ціною від 84.84 грн до 332.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V |
товар відсутній |