STP11NM80 STMicroelectronics
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP11NM80 за ціною від 103.41 грн до 406.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
STP11NM80 Код товару: 36380 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |