STP12NK30Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.48 грн |
| 7+ | 56.88 грн |
| 10+ | 50.64 грн |
| 19+ | 43.7 грн |
| 50+ | 41.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12NK30Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP12NK30Z за ціною від 28.9 грн до 190.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 5.6A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP12NK30Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3 |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP12NK30Z | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP12NK30Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |