STP12NM50 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.62 грн |
| 9+ | 93.65 грн |
| 24+ | 88.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12NM50 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.
Інші пропозиції STP12NM50 за ціною від 95.43 грн до 292.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 21605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| STP12NM50 | Виробник : ST |
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
STP12NM50 Код товару: 32729 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|