STP12NM50FP

STP12NM50FP STMicroelectronics


en.cd00002079.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12NM50FP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції STP12NM50FP за ціною від 95.73 грн до 342.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.57 грн
8+ 101.28 грн
22+ 95.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.15 грн
3+ 167.7 грн
8+ 121.53 грн
22+ 114.87 грн
250+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+214.89 грн
10+ 161.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+293.91 грн
50+ 224.39 грн
100+ 192.34 грн
500+ 160.45 грн
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.32 грн
10+ 287.95 грн
25+ 195.12 грн
100+ 171.81 грн
250+ 171.15 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 135.85 грн
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+342.15 грн
10+ 203.2 грн
100+ 180.78 грн
500+ 157.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP12NM50FP Виробник : ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP12NM50FP STP12NM50FP
Код товару: 116311
en.CD00002079.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP12NM50FP STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STP12NM50FP Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній