STP16N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP16N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP16N65M5 за ціною від 93.47 грн до 228.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STP16N65M5 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 25W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 25W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |