STP24N60M2

STP24N60M2 STMicroelectronics


STx24N60M2-DTE.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.29 грн
3+ 154.99 грн
7+ 119.7 грн
19+ 112.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP24N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm.

Інші пропозиції STP24N60M2 за ціною від 79.05 грн до 270.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00070788.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.88 грн
50+ 152.31 грн
100+ 125.32 грн
500+ 99.52 грн
1000+ 84.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m2-1850197.pdf MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.79 грн
10+ 103.89 грн
100+ 87.68 грн
250+ 86.35 грн
500+ 84.36 грн
1000+ 82.37 грн
2000+ 79.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371902.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+216.1 грн
10+ 156.48 грн
100+ 128.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics STx24N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.55 грн
3+ 193.15 грн
7+ 143.65 грн
19+ 135.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+270.69 грн
68+ 172.7 грн
84+ 139.71 грн
100+ 126.3 грн
200+ 116.08 грн
500+ 98.96 грн
1000+ 92.31 грн
2000+ 89.81 грн
Мінімальне замовлення: 44
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній