STP24N60M6

STP24N60M6 STMicroelectronics


stp24n60m6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.67 грн
50+ 142.68 грн
100+ 117.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP24N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP24N60M6 за ціною від 75.73 грн до 197.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6-1851417.pdf MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.62 грн
10+ 157.36 грн
100+ 112.26 грн
250+ 103.62 грн
500+ 96.98 грн
1000+ 80.38 грн
2000+ 75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній