STP30N65M5

STP30N65M5 STMicroelectronics


en.CD00223067.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.53 грн
50+ 328.41 грн
100+ 293.84 грн
500+ 243.32 грн
1000+ 218.98 грн
2000+ 205.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP30N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP30N65M5 за ціною від 225.65 грн до 463.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb30n65m5-1850253.pdf MOSFET N-channel 650 V MDMesh
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.43 грн
10+ 403.84 грн
25+ 275.72 грн
100+ 257.03 грн
250+ 255.03 грн
500+ 237.67 грн
1000+ 225.65 грн
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics stp30n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP30N65M5 STP30N65M5 Виробник : STMicroelectronics stp30n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 710V; 13A; Idm: 88A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 139mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній