STP3NK80Z STMicroelectronics
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP3NK80Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP3NK80Z за ціною від 19.62 грн до 186.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP3NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP3NK80Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STP3NK80Z Код товару: 53546 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 485/19 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
STP3NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |