Продукція > STMICROELECTRONICS > STP42N60M2-EP
STP42N60M2-EP

STP42N60M2-EP STMicroelectronics

6129476363782412dm0015.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+410.23 грн
10+ 381.06 грн
25+ 362.61 грн
50+ 328.43 грн
100+ 294.98 грн
1000+ 275.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP42N60M2-EP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm.

Інші пропозиції STP42N60M2-EP за ціною від 194.45 грн до 506.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.34 грн
50+ 327.63 грн
100+ 280.82 грн
500+ 234.26 грн
1000+ 200.58 грн
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+441.79 грн
29+ 410.37 грн
30+ 390.51 грн
50+ 353.7 грн
100+ 317.67 грн
1000+ 296.91 грн
Мінімальне замовлення: 27
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics stb42n60m2_ep-1850483.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 853 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.15 грн
10+ 399 грн
25+ 316.99 грн
100+ 271.7 грн
250+ 256.39 грн
500+ 241.73 грн
1000+ 194.45 грн
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP Виробник : STMICROELECTRONICS 2371906.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+506.5 грн
5+ 441.5 грн
10+ 376.51 грн
50+ 328.81 грн
100+ 283.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній