STP45N65M5

STP45N65M5 STMicroelectronics


11184dm00049184.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP45N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP45N65M5 за ціною від 263.11 грн до 638.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.48 грн
3+ 366.26 грн
7+ 346.15 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+522.98 грн
50+ 402.09 грн
100+ 359.76 грн
500+ 297.9 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb45n65m5-1850452.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+567.93 грн
10+ 531.48 грн
25+ 385.58 грн
100+ 348.28 грн
250+ 341.62 грн
500+ 307 грн
1000+ 264.38 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+571.13 грн
10+ 527.04 грн
25+ 452.01 грн
50+ 431.46 грн
100+ 366.76 грн
250+ 341.23 грн
500+ 263.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.38 грн
3+ 456.42 грн
7+ 415.38 грн
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+615.33 грн
21+ 567.82 грн
25+ 486.99 грн
50+ 464.84 грн
100+ 395.14 грн
250+ 367.64 грн
500+ 283.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS48869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+638.72 грн
5+ 553.56 грн
10+ 467.65 грн
50+ 414.82 грн
100+ 364.98 грн
250+ 353.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP45N65M5
Код товару: 144919
en.DM00049184.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP45N65M5 STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP45N65M5 Виробник : STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній