STP4NK80ZFP STMicroelectronics
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP4NK80ZFP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP4NK80ZFP за ціною від 33.9 грн до 148.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |