STU2NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.67 грн |
| 75+ | 164.07 грн |
| 150+ | 140.62 грн |
| 525+ | 117.31 грн |
| 1050+ | 100.45 грн |
| 2025+ | 94.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STU2NK100Z за ціною від 21.38 грн до 233.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A On-state resistance: 8.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STU2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A On-state resistance: 8.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 70W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |