STU4N52K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 25.04 грн |
| 25+ | 20.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU4N52K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU4N52K3 за ціною від 12.79 грн до 92.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STU4N52K3 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STU4N52K3 TSTU4N52K3 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STU4N52K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |