STU6N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.67 грн |
| 10+ | 48.45 грн |
| 100+ | 36.12 грн |
| 500+ | 33.11 грн |
| 1000+ | 29.11 грн |
| 3000+ | 26.57 грн |
| 6000+ | 26.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STU6N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STU6N65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|
| STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||
 |
STU6N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V |
товар відсутній |