Продукція > STMICROELECTRONICS > STU7N80K5
STU7N80K5

STU7N80K5 STMicroelectronics

std7n80k5-1850598.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.45 грн
10+ 104.41 грн
100+ 80.11 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.62 грн
3000+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU7N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU7N80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STU7N80K5 STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics stu7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics stu7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STU7N80K5 STU7N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
товар відсутній