STW10NK60Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.95 грн |
10+ | 83.72 грн |
27+ | 78.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STW10NK60Z за ціною від 81.71 грн до 293.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 156W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75 euEccn: NLR Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
STW10NK60Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |