STW13NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW13NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STW13NK100Z за ціною від 265.57 грн до 852.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A On-state resistance: 0.56Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A On-state resistance: 0.56Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW13NK100Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STW13NK100Z Код товару: 38847 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STW13NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
товар відсутній |