на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 544.62 грн |
| 25+ | 409.72 грн |
| 100+ | 324.31 грн |
| 250+ | 307.66 грн |
| 600+ | 288.35 грн |
| 1200+ | 247.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW18NM80 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STW18NM80
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
| STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
 |
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.71A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|
|
|
STW18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.71A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |