Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW26NM50 (TO-247, ST)
STW26NM50 (TO-247, ST)

STW26NM50 (TO-247, ST)

stw26nm50.pdf
Код товару: 130997
Виробник: ST
Uds,V: 500 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/76
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
28 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
1+242 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW26NM50 (TO-247, ST) за ціною від 228.92 грн до 853.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.77 грн
3+ 311.46 грн
4+ 242.1 грн
10+ 228.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMicroelectronics 232701829016600cd00002680.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.66 грн
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.33 грн
3+ 388.13 грн
4+ 290.51 грн
10+ 274.7 грн
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002680.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.2 грн
30+ 560.26 грн
120+ 527.3 грн
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMicroelectronics stw26nm50-1851953.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+780.03 грн
10+ 741.32 грн
25+ 475.48 грн
50+ 474.15 грн
100+ 456.17 грн
250+ 432.19 грн
600+ 420.87 грн
STW26NM50 STW26NM50 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+853.87 грн
10+ 738.83 грн
100+ 555.8 грн
500+ 494.6 грн

З цим товаром купують

IRFP460APBF
Код товару: 22361		 irfp460A.pdf
IRFP460APBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
у наявності: 178 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+142 грн
10+ 133 грн
2N2222 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4035		 P2N2222A.pdf
2N2222 (транзистор біполярний NPN)
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 3091 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3
10uF 63V ECR 5x11mm (ECR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3644		 ECR_081225.pdf
10uF 63V ECR 5x11mm (ECR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 70 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1 грн
100+ 0.7 грн
1000+ 0.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
BC807-40
Код товару: 3638		 BC807_.pdf
BC807-40
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
товар відсутній
330uF 250V ELP 22x35mm (ELP331M2EBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2582		 ELP_080522.pdf
330uF 250V ELP 22x35mm (ELP331M2EBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х35mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 90 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60 грн
10+ 54 грн