Продукція > STMICROELECTRONICS > STW28N65M2
STW28N65M2

STW28N65M2 STMicroelectronics

stw28n65m2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.98 грн
3+ 227.65 грн
5+ 179.9 грн
13+ 170.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW28N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW28N65M2 за ціною від 123.55 грн до 326.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW28N65M2 STW28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.64 грн
30+ 211.25 грн
120+ 181.07 грн
510+ 151.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2 STW28N65M2 Виробник : STMicroelectronics stb28n65m2-1850170.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.94 грн
10+ 276.53 грн
25+ 195.29 грн
100+ 168.72 грн
250+ 153.44 грн
600+ 128.2 грн
1200+ 123.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW28N65M2 STW28N65M2 Виробник : STMicroelectronics stw28n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.38 грн
3+ 283.68 грн
5+ 215.88 грн
13+ 204.26 грн
STW28N65M2 STW28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній