STW45NM50 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 669.15 грн |
2+ | 477.44 грн |
5+ | 451.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45NM50 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STW45NM50 за ціною від 484.24 грн до 919.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW45NM50 Код товару: 73997 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
товар відсутній |