STWA40N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 485.13 грн |
10+ | 401.05 грн |
25+ | 322.83 грн |
100+ | 265.7 грн |
250+ | 261.05 грн |
600+ | 235.15 грн |
1200+ | 189.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STWA40N60M2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ M2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 22A, Pulsed drain current: 136A, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 88mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 57nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STWA40N60M2 за ціною від 231.96 грн до 425.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STWA40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STWA40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
STWA40N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |