STY112N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1902.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY112N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: MAX-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STY112N65M5 за ціною від 1698.41 грн до 2786.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STY112N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STY112N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |