на замовлення 134945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.83 грн |
10+ | 48.43 грн |
100+ | 32.75 грн |
500+ | 27.77 грн |
1000+ | 22.58 грн |
2000+ | 20.99 грн |
4000+ | 20.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD09P10-195-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUD09P10-195-BE3 за ціною від 25.57 грн до 62.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUD09P10-195-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SUD09P10-195-BE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252 |
товар відсутній |
||||||||||||||
SUD09P10-195-BE3 | Виробник : VISHAY | SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
SUD09P10-195-BE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252 |
товар відсутній |
||||||||||||||
SUD09P10-195-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
товар відсутній |