на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.63 грн |
| 10+ | 174.28 грн |
| 100+ | 120.17 грн |
| 250+ | 110.82 грн |
| 500+ | 101.48 грн |
| 1000+ | 86.12 грн |
| 2000+ | 82.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD19N20-90-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUD19N20-90-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SUD19N20-90-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||
| SUD19N20-90-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||
 |
SUD19N20-90-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
SUD19N20-90-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |