SUD50P08-25L-BE3

SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix


sud50p08.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SUD50P08-25L-BE3 за ціною від 71.08 грн до 184.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P08-25L-BE3 SUD50P08-25L-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.45 грн
10+ 137.83 грн
100+ 109.73 грн
500+ 87.14 грн
1000+ 73.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-BE3 SUD50P08-25L-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sud50p08.pdf MOSFET 80V P-CH MOSFET (D-S) 17
на замовлення 52199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.44 грн
10+ 151.25 грн
100+ 104.95 грн
250+ 100.97 грн
500+ 88.35 грн
1000+ 75.06 грн
2000+ 71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312
sud50p08.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній