SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 45.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUD70090E-GE3 за ціною від 43.16 грн до 129.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V |
на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 21705 шт: термін постачання 985-994 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A Power dissipation: 125W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A Power dissipation: 125W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |