SUM70030M-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 132.23 грн |
| 500+ | 120.01 грн |
| 1000+ | 108.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM70030M-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUM70030M-GE3 за ціною від 105.88 грн до 245.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263-7 кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263-7 |
товар відсутній |