на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 158.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70030E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.00265 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00265ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00265ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUP70030E-GE3 за ціною від 99.64 грн до 241.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70030E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.00265 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00265ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00265ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP70030E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SUP70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUP70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUP70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUP70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.84mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: THT Case: TO220AB |
товар відсутній |