Технічний опис TBC847B,LM(T Toshiba
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.32W; SOT23, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.15A, Power dissipation: 0.32W, Case: SOT23, Current gain: 200...450, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 100MHz, кількість в упаковці: 51000 шт.
Інші пропозиції TBC847B,LM(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TBC847B,LM(T Код товару: 182455 |
 Транзистори > Біполярні NPNКорпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,15 A Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
| TBC847B,LM(T | Виробник : Toshiba |
Silicon NPN Epitaxial Type |
товар відсутній |
||
 |
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.32W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 51000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.32W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |