TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.33 грн |
10+ | 43.32 грн |
100+ | 33.72 грн |
500+ | 26.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ15P04M3,RQ(S за ціною від 19.77 грн до 72.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba | MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V |
товар відсутній |