на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.44 грн |
10+ | 100.07 грн |
100+ | 69.75 грн |
250+ | 64.23 грн |
500+ | 57.99 грн |
1000+ | 49.75 грн |
2000+ | 47.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10P50W,RQ Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK10P50W,RQ за ціною від 47.46 грн до 110.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK10P50W,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TK10P50W,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
TK10P50W,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V |
товар відсутній |