Продукція > TOSHIBA > TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX Toshiba


18tk12a60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12A60W,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK12A60W,S4VX за ціною від 118.6 грн до 253.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba TK12A60W_datasheet_en_20131225-1139972.pdf MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.55 грн
10+ 217.92 грн
50+ 167.63 грн
100+ 155.04 грн
250+ 149.74 грн
500+ 137.15 грн
1000+ 118.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13487&prodName=TK12A60W Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.72 грн
50+ 193.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK12A60W,S4VX
Код товару: 173725
TK12A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13487&prodName=TK12A60W Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній