Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ

TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK14G65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14506&prodName=TK14G65W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+75.95 грн
2000+ 69.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK14G65W,RQ за ціною від 66.11 грн до 171.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.76 грн
10+ 128.03 грн
100+ 101.87 грн
500+ 80.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Виробник : Toshiba TK14G65W_datasheet_en_20140225-1916194.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.5 грн
10+ 141.27 грн
100+ 97.31 грн
250+ 91.79 грн
500+ 82.82 грн
1000+ 69.01 грн
2000+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK14G65W,RQ Виробник : Toshiba TK14G65W_datasheet_en_20140225.pdf?did=14506&prodName=TK14G65W MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
на замовлення 980 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Виробник : Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TK14G65W,RQ Виробник : Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній