Продукція > TOSHIBA > TK14V65W,LQ
TK14V65W,LQ

TK14V65W,LQ Toshiba

TK14V65W_datasheet_en_20151223-1649955.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.16 грн
10+ 201.59 грн
25+ 170.46 грн
100+ 142.17 грн
250+ 138.03 грн
500+ 126.29 грн
1000+ 108.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK14V65W,LQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK14V65W,LQ за ціною від 106.18 грн до 226.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK14V65W,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.95 грн
10+ 183.75 грн
100+ 148.65 грн
500+ 124.01 грн
1000+ 106.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK14V65W,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30287&prodName=TK14V65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товар відсутній