Технічний опис TK20A60U(Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK20A60U(Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
TK20A60U(Q,M) /Toshiba Код товару: 113916 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
TK20A60U(Q,M) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |
|
 |
TK20A60U(Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
TK20A60U(Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A |
товар відсутній |