TK22E10N1,S1X(S Toshiba
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
173+ | 67.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK22E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK22E10N1,S1X(S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK22E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
TK22E10N1,S1X(S | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |
||
TK22E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
TK22E10N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |