Продукція > TOSHIBA > TK25A60X,S5X(M
TK25A60X,S5X(M

TK25A60X,S5X(M Toshiba


8586docget.jsptypedatasheetlangenpidtk25a60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+130.19 грн
Мінімальне замовлення: 400
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK25A60X,S5X(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції TK25A60X,S5X(M за ціною від 113.55 грн до 280.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK25A60X,S5X(M TK25A60X,S5X(M Виробник : Toshiba 8586docget.jsptypedatasheetlangenpidtk25a60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+149.43 грн
93+ 125.68 грн
100+ 118.75 грн
200+ 113.55 грн
Мінімальне замовлення: 78
TK25A60X,S5X(M TK25A60X,S5X(M Виробник : Toshiba 8586docget.jsptypedatasheetlangenpidtk25a60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+258.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
TK25A60X,S5X(M TK25A60X,S5X(M Виробник : TOSHIBA TOSCS51418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+280.93 грн
10+ 250.37 грн
100+ 161.7 грн
Мінімальне замовлення: 3