TK28A65W,S5X

TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+314.01 грн
50+ 239.99 грн
100+ 205.71 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK28A65W,S5X за ціною від 144.81 грн до 347.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK28A65W,S5X TK28A65W,S5X Виробник : Toshiba TK28A65W_datasheet_en_20150223-1916330.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 100 шт:
термін постачання 68-77 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.19 грн
10+ 311.67 грн
50+ 235.81 грн
100+ 202.6 грн
250+ 191.31 грн
500+ 180.01 грн
1000+ 144.81 грн