Продукція > TOSHIBA > TK28V65W5,LQ(S
TK28V65W5,LQ(S

TK28V65W5,LQ(S TOSHIBA


3934680.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+263.04 грн
500+ 231.11 грн
1000+ 194.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK28V65W5,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TK28V65W5,LQ(S за ціною від 194.17 грн до 400.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK28V65W5,LQ(S TK28V65W5,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934680.pdf Description: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+400.9 грн
10+ 305.52 грн
100+ 263.04 грн
500+ 231.11 грн
1000+ 194.17 грн
Мінімальне замовлення: 2