Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK28V65W5,LQ
TK28V65W5,LQ

TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK28V65W5,LQ за ціною від 150.05 грн до 250.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK28V65W5,LQ TK28V65W5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.05 грн
10+ 202.11 грн
100+ 163.48 грн
500+ 150.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK28V65W5,LQ TK28V65W5,LQ Виробник : Toshiba TK28V65W5_datasheet_en_20160830-1649677.pdf MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 88 PD=240W F=1MHZ
товар відсутній