на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.24 грн |
| 10+ | 161.95 грн |
| 50+ | 119.57 грн |
| 100+ | 108.94 грн |
| 250+ | 97.65 грн |
| 500+ | 92.33 грн |
| 1000+ | 83.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2R4A08QM,S4X Toshiba
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK2R4A08QM,S4X за ціною від 151.95 грн до 188.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2R4A08QM,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|