TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 76.49 грн |
| 13+ | 64.49 грн |
| 100+ | 40.57 грн |
| 500+ | 32.21 грн |
| 1000+ | 23.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK30E06N1,S1X(S за ціною від 84.62 грн до 84.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товар відсутній |
|||||
 |
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 53W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
TK30E06N1,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 53W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |