на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.25 грн |
10+ | 68.75 грн |
100+ | 46.43 грн |
500+ | 38.39 грн |
1000+ | 31.69 грн |
2500+ | 29.69 грн |
5000+ | 28.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4A80E,S4X Toshiba
Description: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK4A80E,S4X за ціною від 63.52 грн до 80.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK4A80E,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
TK4A80E,S4X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |
||||||||
TK4A80E,S4X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |