Продукція > TOSHIBA > TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PL,RQ(S2

TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

3934727.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.4 грн
500+ 48.3 грн
1000+ 41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK4R4P06PL,RQ(S2 за ціною від 39.75 грн до 108.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3934727.pdf Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+108.79 грн
10+ 82.71 грн
100+ 61.4 грн
500+ 48.3 грн
1000+ 41.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba TK4R4P06PL,RQ(S2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+83.34 грн
154+ 75.97 грн
189+ 61.81 грн
202+ 55.76 грн
500+ 51.46 грн
1000+ 43.83 грн
2000+ 40.91 грн
2500+ 40.83 грн
5000+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 140
TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній