Продукція > TOSHIBA > TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1,S1X(S

TK56E12N1,S1X(S TOSHIBA

3934730.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.4 грн
10+ 102.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK56E12N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 168W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TK56E12N1,S1X(S за ціною від 97.98 грн до 170.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK56E12N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA TK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.79 грн
10+ 103.79 грн
26+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK56E12N1,S1X(S TK56E12N1,S1X(S Виробник : Toshiba 196docget.jsppidtk56e12n1langentypedatasheet.jsppidtk56e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній